EFI的出现是第一次正式提出。
它是在2000年的Intel Spring IDF上。
经过多次修订后,它现已达到EFI版本1.10,而UEFI正在开发2.0版(EFI也称为UEFI)。
)。
早在2000年,Inetl就推出了EFI。
从某个角度来看,英特尔当时推出了EFI,主要用于未来与各种架构平台兼容的计算机固件;例如,EFI可用于Itanium,Pentium甚至XScale平台。
上。
最初,联合开发EFI的公司包括Intel,AMI和台湾Insyde。
后来,由于EFI确实具有前瞻性,业界建立了UEFI(统一EFI)论坛,共同为每个平台开发PC固件标准。
基本上,UEFI基于原始EFI 1.10并且正在开发UEFI 2.0。
uEFI概念分为两部分:uEFI实体(uEFI Image)和平台初始化框架。
uEFI实体 - uEFI图像根据uEFI规范,uEFI Image包含三种类型:uEFI应用程序,OS加载程序和uEFI驱动程序。
uEFI Applications是硬件初始化之后,操作系统启动之前的核心应用程序,例如:启动管理,BIOS设置,uEFI Shell,诊断,调度和配置,调试应用程序等.OS Loader是一个特殊的uEFI应用程序,主要是function是启动操作系统并退出并关闭uEFI应用程序。
uEFI驱动程序提供设备间接口协议。
每个设备独立运行以提供设备版本号和相应的参数以及设备间关联。
不再需要基于操作系统支持。
UEFI的最大特点是UEFI BIOS的模块化设计,基本上分为硬件控制和OS软件。
前者具有与相同版本的UEFI BIOS相同的功能,后者具有与制造商相同的功能。
用于语言编写应用程序功能的开放接口。
通过这个开放的界面,供应商可以为各种功能(插件)编写插件,如Ghost类系统备份/恢复插件,IE类浏览器插件,反病毒类反病毒插件-ins等。
增加其产品的功能。
从以前的内容来看,UEFI BIOS与传统的BIOS完全不同,它几乎是一个专用的微操作系统。
随着UEFI BIOS内置功能的多样化,其数据量自然不容小觑。
除了需要可扩展性之外,UEFI BIOS将不再存储在主板上的只读存储器中,而是存储在硬盘分区中。
提供FAT 32格式扇区(ESP; UEFI BIOS系统分区)以存储与UEFI BIOS有关的数据。
可以说UEFI系统的固件等同于简单的操作系统。
引导过程完成后,用户可以选择将UEFI Shell作为命令接口执行或指定任何其他操作系统。
这种情况有点像早期的DOS,Windows只是另一个用户界面系统。
包括AMI和Insyde在内,目前的UEFI BIOS基于英特尔的UEFI功能核心框架(开发代号为Tiano),以及由其编写的架构模块。
即便是微软的下一代操作系统Longhorn也宣布支持IDF中的UEFI。
根据微软的计划,所有新操作系统将在未来支持UEFI。
在模块化分工的概念中,添加新的中间接口确实最小化了系统变化带来的其他变化。
由于UEFI的这种架构特性,很多人认为在UEFI成为计算机固件之后,它对BIOS制造商和微软构成威胁----------------------- --------------------------------------选择性的增加并不一定取决于微软的Windows。
但是,UEFI BIOS也有许多缺点,如CSS。
例如,真实UEFI是将硬盘中的区域隔离为存储空间。
如果硬盘的小空间受到物理损坏,会产生什么后果?由于UEFI更像是一种软件,传统的BIOS削弱了对病毒和外部程序的防御能力。
此外,现在有很多人会使用C语言编程。
很多人都可以轻松破译UEFI,这对UEFI的安全性提出了更高的要求。
uEFI联盟将负责uEFI规范的开发,管理和推广,该规范目前在联盟内分为四组:规范工作组:负责uEFI规范开发和改进平台初始化工作组:负责平台初始化框架规范开发和改进测试工作组:负责开发uEFI测试套件行业联络工作组:负责行业业务联系
瞬态电压抑制二极管(TVS二极管)是一种保护二极管,旨在保护电子电路免受瞬变和过压威胁,如EFT(电快速瞬变)和ESD(静电放电)。TVS二极管是一种硅雪崩器件,由于其响应时间快、电压箝位能力强、电容低、漏电流小等特点,被广泛应用于家用电器、娱乐设备、电信设备等领域。Polytronics TVS二极管可用于不同封装尺寸的单向和双向,工作电压范围宽,功率范围宽。
TVS二极管与常见的稳压二极管的工作原理相似,如果高于标志上的击穿电压,TVS二极管就会导通,与稳压二极管相比,TVS二极管有更高的电流导通能力。TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,以10^-12S 量级速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,同时吸收高达数千瓦的浪涌功率。使两极间的电压箝位于一个安全值,有效地保护电子线路中的精密元器件免受浪涌脉冲的破坏。