聚鼎ASMBJ瞬态抑制二极管:专为高频与高可靠性应用而生

聚鼎ASMBJ瞬态抑制二极管:专为高频与高可靠性应用而生

随着物联网(IoT)、5G通信及智能终端设备的快速发展,对电子元器件的性能提出了更高要求。聚鼎科技推出的ASMBJ系列瞬态抑制二极管(TVS),以其超低电容、优异的温度稳定性及长期可靠性,成为高频信号线路中理想的过压保护方案。

1. 超低电容设计,兼容高速信号传输

ASMBJ系列采用优化的结构设计,电容值低至0.5pF(典型值),远低于传统TVS器件,几乎不会对射频(RF)或高速数字信号造成相位延迟或信号衰减。因此,非常适合用于Wi-Fi模块、蓝牙芯片、雷达传感器、高速接口(如PCIe、SATA)等对信号完整性要求极高的场景。

2. 宽工作温度范围,适应恶劣环境

该系列产品可在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定工作,具备出色的热循环耐受能力,适用于汽车电子、航空航天、工业自动化等极端环境下的长期运行,显著提升系统整体可靠性。

3. 高可靠性与长寿命特性

通过严格的筛选流程与老化测试,聚鼎ASMBJ系列具备极高的失效率(FIT值低于10),且在多次浪涌冲击后仍能保持性能稳定。其内部结构采用无铅焊接材料,符合RoHS与REACH环保标准,助力绿色制造。

4. 双向保护机制,全面应对瞬态干扰

ASMBJ系列支持双向导通,可同时应对正负方向的瞬态过压事件,无需额外配置反向二极管。这种设计简化了电路设计,降低了成本,提升了系统的集成度与维护便利性。

5. 广泛应用场景

典型应用包括:智能手机快充接口、智能穿戴设备、远程医疗仪器、工业以太网交换机、基站天线接口等,充分体现了其在高精度、高频率、高可靠场景下的综合优势。

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