混合二极管

混合二极管通过使用通过金属和N型半导体之间的接触形成的金属制成。

当金属与半导体接触时，在它们的界面处形成阻挡电子通过的肖特基势垒，即表面阻挡层。

为了使半导体中的载流子容易地穿过势垒进入金属，它必须使用具有比金属大得多的电子功函数（耗尽半导体或金属表面所需的能量）的N型半导体。

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当二极管正向偏置时，势垒下降并且大多数载流子（电子）从半导体进入金属。

1.正向特性这里以日立的1SS86 / 1SS87为例。

它们的正向特性如图1所示。

当正向电流IF为1 mA时，1SS86的正向压降为VF≤0.2V，1SS87的VF≤0.45V。

当IF为10mA时，1SS86的VF为0.4V。

，1SS87的VF = 0.6V。

此外，从表1可以看出，外来混频二极管的正向特性越来越好，主要表现在正向特性的一致性，并且存在类似于变容二极管的配对特性，例如在IF = 10mA时。

1SS165的VF为520mV~600mV±5mV; HSM88S / SR和HSM88AS / ASR的VF分别为520mV~600mV±10mV和500mV~580mV±10mV，表明VF的偏差仅为5mV~10mV。

2.反特性它们的反向特性如图2所示。

混合二极管的反向漏电流很小。

例如，在VR = 2V时，1SS86的IR为20μA，1SS87的IR为1μA;在VR = 4V时，1SS86的IR为70μA，1SS87的IR为4μA，表明1SS87，反向特性优于1SS86。

混频器要求混频器二极管的反向漏电流很小，因此混频器的噪声系数也很小。

3.结电容其结电容与反向电压之间的关系如图3所示。

当VR = 0V时，1SS86 / 1SS87的结电容C小于0.85pF;当VR = 1V时，它们的电容C小于0.7pF。

由于混合二极管的结电容很小，因此混频器的频率很高。

另外，从表1可以看出，外来混合二极管的结电容的偏差越来越小。

例如，当VR = 0V时，1SS88 / 1SS165 / 1SS166的电容偏差ΔC为±0.05pF; HSM88S / SR，HSM88AS / ASR和HSM88WA / WK的ΔC均为±0.1 pF。

所谓的二极管混频器是混频器，其中混频器中的非线性器件采用混频二极管，其电气原理图如图2所示。

5.在图5中，L1C1是输入信号环路，调谐到输入信号频率fS; L2C2是输出IF环路，调谐到中频fi。

输出中频环路直接连接到混频二极管D，信号输入电压μS，本地振荡器电压μO和偏置电源EO，输出中频电压μi全部作用于混频二极管。

该二极管混频器具有电路简单，噪声低，工作频率高的特点，但混频电压增益低。

当这种电路用于大信号混合时，混频二极管工作在开关​​状态，并且它可以获得大的动态范围，因此它被广泛用于微波电路中。

如果使用由单个器件组成的混频器，其非线性和动态范围并不理想。

如今，彩色电视调谐器大多使用由两个或更多设备组成的平衡混频器和差分对混频器，以改善混频器的性能。