氧化物半导体TFT

低载流子迁移率，低特性变化，低材料和工艺成本，低工艺温度，高涂层效率，高带隙，大氧化物半导体TFT，广泛用于超高清液晶显示器，有机EL显示器，电子纸，柔性显示器，柔性IC，透明显示屏，透明IC，透明太阳能电池，透明LED等产品。

氧化物半导体TFT是透明非晶氧化物半导体TFT（TAOS-TFT）的代表，并且被认为是用于显示器的新一代薄膜晶体管（TFT）的最有希望的候选技术。

最近，其在柔性显示器中的应用的发展仍在继续。

在“透明非晶氧化物半导体国际研讨会（TAOS 2010）”中2010年1月25日至26日举行的活版印刷揭示了电子纸的开发成果，而Dainippon Printing展示了灵活性。

有机EL板的试制结果。

此外，俄勒冈州立大学还公布了通过印刷制造TAOS-TFT的研究成果。

凸版印刷已经确立了通过印刷制造电子纸的目标，并且目前正在考虑TAOS-TFT在该领域的应用。

该公司于2009年12月发布了相关结果，并在使用TAOS涂层在玻璃基板上制造TAOS-TFT后成功驱动了电子纸。

这次我介绍了进展情况。

首先，2009年12月发布时，仅0.5 cm2 / Vs的TAOS-TFT移动性增加到10倍，达到5.4 cm2 / Vs. “这是通过改善涂层材料，组件结构和钝化膜来实现的，”印刷机印刷研究所现代环境能源研究所高级研究员伊藤说。

“此外，驱动面板的分辨率也得到了提高。

在2009年12月，它只有一个2英寸的QQVGA（80 x 60像素）50 ppi（每英寸像素）面板，而这次它是一个VGA（640 x 480像素）400 ppi面板。

截至2009年12月，TAOS-TFT制造工艺的最高温度为270°C，但凸版印刷Ito表示：“现在估计降至250~240°C，并计划进一步降至150°C未来。

“这样做是因为在制造温度降至150℃后可以使用树脂基板。

但伊藤还表示，为了实现这一目标，“我担心需要完全改善由涂料形成的TAOS薄膜的化学反应设计”。

Dainippon Printing推出了4.7英寸QVGA（320×240像素）柔性有机EL面板的试制结果，分辨率为85 ppi。

原型的面板厚度为0.4mm，弯曲性能超过100倍，并且没有观察到显示性能的劣化。

这是通过在顶部发射白光LED的基础上组合柔性滤色器和在不锈钢基板上形成的TAOS-TFT来实现的。

滤色器使用液体材料直接在聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）基板上绘制RGB图案。

通过在300℃下溅射和退火在不锈钢衬底上形成TAOS膜来形成TAOS-TFT。

TAOS-TFT具有4.1cm 2 / Vs的迁移率和107至108的开/关比，并且性能水平与在玻璃基板上形成时的性能水平相当。

俄勒冈州立大学展示了使用通过将金属氯化物溶解在有机溶剂中获得的液体材料通过喷墨方法形成的TAOS膜的TAOS-TFT试验生产结果。

当IGZO（In-Ga-Zn-O）用于TAOS膜时，通过在500℃下退火获得良好的电阻，以获得25.6cm 2 / Vs的迁移率和107的开/关比。

TAOS薄膜可以进行低温退火处理，大学提到In2O3。

据说即使退火温度降低到300℃，In 2 O 3膜也可以保持17.0 cm 2 / Vs的迁移率，如果允许迁移率降至1 cm 2 / Vs，则退火温度可以进一步降低到200°C。